參數(shù)資料
型號(hào)： JAN2N1132L
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 35V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|至39VAR
文件頁(yè)數(shù)： 8/21頁(yè)
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代理商： JAN2N1132L
MIL-PRF-19500/368F
16
* TABLE II. Group E inspection (all quality levels) - for qualification only.
MIL-STD-750
Inspection
Method
Conditions
Qualification
Subgroup 1
Temperature cycling
(air to air)
Hermetic seal
Fine leak
Gross leak
Electrical measurements
Subgroup 2
Intermittent life
Electrical measurements
1051
1071
1037
Test condition C, 500 cycles
See table I, group A, subgroup 2.
Intermittent operation life: VCB
≥ 10 V dc, 6000 cycles
See table I, group A, subgroup 2.
45 devices
c = 0
45 devices
c = 0
Subgroups 3, 4, 5, 6, and 7
Not applicable
Subgroup 8
45 devices
c = 0
Reverse stability
1033
Condition A for devices
≥ 400 V, condition B for devices <
400 V.
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PDF描述
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JAN2N1183B TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8
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