參數(shù)資料
型號： IXTT100N25P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 100 A, 250 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 617K
代理商： IXTT100N25P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTQ 100N25P IXTT 100N25P
IXTK 100N25P
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
- Volts
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
Q
G
- nanoCoulombs
80
100 120 140 160 180 200
V
G
V
DS
= 125V
I
D
= 50A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
25
50
75
100
125
150
4
4.5
5
5.5
V
GS
- Volts
6
6.5
7
7.5
8
I
D
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
25
50
75
I
D
- Amperes
100
125
150
175
200
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
50
100
150
200
250
300
0.4
0.6
0.8
V
SD
- Volts
1
1.2
1.4
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
1
10
100
1000
10
100
1000
V
DS
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 150oC
T
C
= 25oC
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IXTT10N100D2 功能描述:MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT10P50 功能描述:MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT10P60 功能描述:MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT110N10L2 功能描述:MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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