參數(shù)資料
型號： IXTQ36N50P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 36 A, 500 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： IXTQ36N50P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTQ 36N50P
IXTT 36N50P
Fig. 11. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
Q
G
- nanoCoulombs
60
80
100
120
140
V
G
V
DS
= 250V
I
D
= 18A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.4
0.5
0.6
0.7
V
S D
- Volts
0.8
0.9
1
1.1
1.2
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
1
10
100
1000
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
10ms
DC
T
J
= 150oC
T
C
= 25oC
R
DS(on)
Limit
25μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTT36N50P N-Channel Enhancement Mode
IXTQ52N30P PolarHT Power MOSFET
IXTT52N30P PolarHT Power MOSFET
IXTQ64N25 PolarHT Power MOSFET
IXTQ64N25P PolarHT Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ36P15P 功能描述:MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ40N50L2 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ40N50Q 功能描述:MOSFET 40 Amps 500 V 0.14 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ42N25P 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ44N30T 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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