參數(shù)資料
型號： IXTQ36N50P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 36 A, 500 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： IXTQ36N50P
2004 IXYS All rights reserved
IXTQ 36N50P
IXTT 36N50P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
V
D S
- Volts
12
14
16
18
20
22
24
I
D
V
GS
= 10V
8V
5.5V
5V
6V
6.5V
7V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
0
2
4
6
V
D S
- Volts
8
10
12
14
16
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
4.5V
5V
5.5V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
0
1
2
3
4
5
6
7
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5V
6V
5.5V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.4
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 36A
I
D
= 18A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
3.4
0
10
20
30
I
D
- Amperes
40
50
60
70
80
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTT36N50P N-Channel Enhancement Mode
IXTQ52N30P PolarHT Power MOSFET
IXTT52N30P PolarHT Power MOSFET
IXTQ64N25 PolarHT Power MOSFET
IXTQ64N25P PolarHT Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ36P15P 功能描述:MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ40N50L2 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ40N50Q 功能描述:MOSFET 40 Amps 500 V 0.14 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ42N25P 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ44N30T 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*