參數(shù)資料
型號(hào)： IXTQ140N10P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT⑩ Power MOSFET
中文描述： 140 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 174K
代理商： IXTQ140N10P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
IXTQ 140N10P
IXTT 140N10P
Symbol
Test Conditions Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
45
65
S
C
iss
C
oss
C
rss
4700
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1850
pF
600
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
35
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 4
(External)
50
ns
85
ns
26
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
155
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
33
nC
85
nC
R
thJC
R
thCS
0.25
°
C/W
°
C/W
(TO-3P)
0.21
Source-Drain Diode Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0 V
140
A
I
SM
Repetitive
300
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
F
= 25 A, -di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 50 V, V
GS
= 0 V
120
2.0
ns
μ
C
TO-268 (IXTT) Outline
TO-3P (IXTQ) Outline
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTT140N10P PolarHT⑩ Power MOSFET
IXTQ36N50P N-Channel Enhancement Mode
IXTT36N50P N-Channel Enhancement Mode
IXTQ52N30P PolarHT Power MOSFET
IXTT52N30P PolarHT Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ14N60P 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ150N06P 功能描述:MOSFET 150 Amps 60V 0.01 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ150N15P 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ152N085T 功能描述:MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ160N075T 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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