參數(shù)資料
型號: IXTP11P20
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五(巴西)直| 11A條(丁)|至220
文件頁數(shù): 5/12頁
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代理商: IXTP11P20
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTP2N100A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IXTP2N95A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IXTP2P45 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220
IXTP2P50 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220
IXTP5P20 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTP120N04T2 功能描述:MOSFET 120 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP120N075T2 功能描述:MOSFET 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP120P065T 功能描述:MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP12N50P 功能描述:MOSFET 12 Amps 500V 0.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP12N50PM 功能描述:MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube