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IXTP2N100A	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220AB
IXTP2N95A	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 950V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220AB
IXTP2P45	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220
IXTP2P50	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220
IXTP5P20	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220

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IXTP120N075T2	功能描述:MOSFET 120 Amps 75V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP120P065T	功能描述:MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP12N50P	功能描述:MOSFET 12 Amps 500V 0.5 Ohm Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP12N50PM	功能描述:MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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IXTP120N04T2

功能描述:MOSFET 120 Amps 40V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTP120N075T2

功能描述:MOSFET 120 Amps 75V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTP120P065T

功能描述:MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTP12N50P

功能描述:MOSFET 12 Amps 500V 0.5 Ohm Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTP12N50PM

功能描述:MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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型號(hào)：	IXTP11P20
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-220
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| P通道\| 200伏五（巴西）直\| 11A條（?。﹟至220
文件頁數(shù)：	4/12頁
文件大?。?/td>	1098K
代理商：	IXTP11P20

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