參數(shù)資料
型號： IXTK140N20P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 140 A, 200 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 564K
代理商： IXTK140N20P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
4,835,592
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
IXTK 140N20P
Symbol
Test Conditions Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
50
84
S
C
iss
C
oss
C
rss
7500
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1800
280
pF
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
30
35
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 3.3
(External)
150
90
ns
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
240
50
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
100
nC
R
thJC
R
thCK
0.18K/W
0.15
K/W
Source-Drain Diode Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min.
typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0 V
140
A
I
SM
Repetitive
280
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
I
= 25 A
-di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 100 V
120
ns
Q
RM
3.5
μ
C
TO-264(SP) Outline (IXTK)
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
相關PDF資料
PDF描述
IXTK180N15 High Current MegaMOSTMFET
IXTK200N10P PolarHTTM Power MOSFET
IXTK21N100 High Voltage MegaMOSTMFETs
IXTN21N100 High Voltage MegaMOSTMFETs
IXTK250N10 High Current MegaMOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXTK140N30P 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK150N15P 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK160N20 功能描述:MOSFET 160 Amps 200V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK170N10P 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK170P10P 功能描述:MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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