參數(shù)資料
型號： IXTH40N25
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-218VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五（巴西）直| 40A條（?。﹟對218VAR
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： IXTH40N25
相關PDF資料
PDF描述
IXTH42N15 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-218VAR
IXTH50N15 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-218VAR
IXTH5N95 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247
IXTH67N08 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-218VAR
IXTH75N08 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-218VAR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH40N30 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH40N30 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXTH40N50L2 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH41N25 功能描述:MOSFET 41 Amps 250V 0.072 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH420N04T2 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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