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IXTH67N08	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 67A I(D) \| TO-218VAR
IXTH75N08	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 75A I(D) \| TO-218VAR
IXTH9N100	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 9A I(D) \| TO-218VAR
IXTH9N95	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 950V V(BR)DSS \| 9A I(D) \| TO-218VAR
IXTL13N65	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 650V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-254

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IXTH5N95A	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 950V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-247
IXTH60N10	功能描述:MOSFET 60 Amps 100 V 0.033 W Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH60N15	功能描述:MOSFET 60 Amps 150V 0.033 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH60N20L2	功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH60N25	功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.046 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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IXTH5N95A

IXTH60N10

功能描述:MOSFET 60 Amps 100 V 0.033 W Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH60N15

功能描述:MOSFET 60 Amps 150V 0.033 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH60N20L2

功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH60N25

功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.046 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 950V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-247
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 950V五（巴西）直\| 5A條（?。﹟至247
文件頁(yè)數(shù)：	1/8頁(yè)
文件大?。?/td>	719K
代理商：	IXTH5N95

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