參數(shù)資料
型號(hào)： IXTH3N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Power MOSFETs
中文描述： 3 A, 1200 V, 4.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： PLASTIC, TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 140K
代理商： IXTH3N120
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTH 3N120
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
D
0
1
2
3
4
5
Pulse Width - Seconds
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.00
0.01
0.10
1.00
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
Gate Charge - nC
0
10
20
30
40
50
60
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
V
DS
= 600V
I
D
= 1.5A
f = 1MHz
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
V
GS
= 0V
Single Pulse
Fig. 7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig. 8 Capacitance Curves
Fig. 9 Drain Current vs Drain to Source Voltage
Fig.10 Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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