參數(shù)資料
型號(hào)： IXTH28N50Q
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 功率MOSFET調(diào)Q級(jí)
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 181K
代理商： IXTH28N50Q
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTH 28N50Q
IXTT 28N50Q
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
V
DS
- Volts
20
25
30
35
40
C
C
iss
C
oss
C
rss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
D S
= 250V
I
D
= 14A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
7
14
21
28
35
42
49
56
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= -40
o
C
25
o
C
125
o
C
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
0.01
0.1
1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
0
14
28
I
D
- Amperes
42
56
70
84
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
125
o
C
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
0
14
28
42
56
70
84
0.4
0.5
0.6
0.7
V
SD
- Volts
0.8
0.9
1
11
12
I
S
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANHCF1N5802 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
JANKCE1N5804 JT 79C 79#22D PIN RECP
JANKCE1N5806 Circular Connector; No. of Contacts:79; Series:MS27508; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:20; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle RoHS Compliant: No
JANKCE1N5807 JT 41C 41#20 SKT WALL RECP
JANKCE1N5809 6 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH2N170D2 功能描述:MOSFET N-channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH2R4N120P 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH300N04T2 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH30N25 功能描述:MOSFET 30 Amps 250V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH30N45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247AD
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*