參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH35N100A
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High speed IGBT
中文描述： 70 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： IXSH35N100A
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
= I
; V
= 10 V,
20
25
S
I
C(on)
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
240
A
C
ies
C
oes
C
res
4400
325
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
85
Q
g
Q
ge
Q
gc
180
45
120
260
60
200
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
80
ns
ns
ns
ns
mJ
150
400
700
10
950
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
100
200
4.2
400
1300
15
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
550
2000
31
R
thJC
R
thCK
0.42 K/W
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Switching times may increase for
V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times
may increase for
V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
IXSH 35N100A
IXSM 35N100A
TO-247 AD (IXSH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
TO-204 AE (IXSM) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
38.61 39.12
- 22.22
6.40 11.40
1.45
1.52
30.15
10.67 11.17
5.21
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84
25.16 26.66
Inches
Min.
1.520 1.540
- 0.875
0.252 0.449
0.057 0.063
0.060 0.135
1.187
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.050
Max.
Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
1.60
3.43
BSC
BSC
5.71
4.19
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSM35N100A High speed IGBT
IXSH35N120A High Voltage, High speed IGBT
IXSH35N120B IGBT
IXST35N120B IGBT
IXSH35N135A High Voltage,High Speed IGBT(VCES為1350V的高電壓高速絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH35N120A 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 1200V, 70A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N135A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.35KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AD
IXSH35N140A 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1400V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH40N60 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 75A TO247AD
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