參數(shù)資料
型號(hào)： IXGX60N60B2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 630K
代理商： IXGX60N60B2D1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGK60N60B2D1
IXGX60N60B2D1
Fig. 7. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
50
100
150
200
250
300
I
C
- Amperes
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 8. Dependence of Turn-Off
Energy on R
G
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
R
G
- Ohms
E
o
-
I
C
= 25A
T
J
= 125oC
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 50A
I
C
= 100A
Fig. 9. Dependence of Turn-Off
Energy
on I
c
0
1
2
3
4
5
6
7
20
30
40
50
I
C
- Amperes
60
70
80
90
100
E
o
R
G
= 3.3
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 10. Dependence of Turn-Off
Energy on Temperature
0
1
2
3
4
5
6
7
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J
- Degrees Centigrade
E
o
I
C
= 100A
R
G
= 3.3
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 50A
I
C
= 25A
Fig. 11. Dependence of Turn-Off
Switching Time on R
G
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
R
G
- Ohms
S
I
C
= 50A
t
d(off)
t
fi
-
- - - - -
T
J
= 125oC
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 25A
I
C
= 100A
Fig. 12. Dependence of Turn-Off
Switching Time
on I
c
50
100
150
200
250
300
350
400
20
30
40
50
I
C
- Amperes
60
70
80
90
100
S
t
d(off)
t
fi
- - - - - -
R
G
= 3.3
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGK60N60C2D1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGX60N60C2D1 Fast SRAM > Late Write Synchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 36; Memory capacity (bit): 16M; Supply voltage (V): 150; Operating temperature (°C): 1.5; Package: BGA (119)
IXGK80N60A HiPerFAST IGBT
IXGM30N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
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參數(shù)描述
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