參數(shù)資料
型號(hào)： IXGR32N60CD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
中文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 127K
代理商： IXGR32N60CD1
5 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXGR 32N60CD1
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
s
60
70
80
90
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
40
80
120
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
°
C
t
s
K/W
0
200
400
600
di
F
/dt
800
A/
m
s
1000
0
5
10
15
20
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
V
FR
V
200
600
1000
0
400
800
A/
m
s
0
5
10
15
20
25
30
A
100
1000
0
200
400
600
800
1000
0
1
2
3
0
10
20
30
40
50
60
A
I
RM
Q
r
I
F
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
V
nC
t
rr
ns
t
fr
Z
thJC
A/
m
s
μ
s
DSEP 2x31-06B
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100
°
C
I
F
= 30A
Fig. 14.Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 13. Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 12.
Forward current I
F
versus V
F
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
Q
r
I
RM
Fig. 15. Dynamic parameters Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Fig. 16.Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 17.Peak forward voltage V
FR
and t
fr
versus di
F
/dt
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
t
fr
V
FR
Fig. 18. Transient thermal resistance junction to case
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.436
0.482
0.117
0.115
t
i
(s)
0.0055
0.0092
0.0007
0.0418
1
2
3
4
T
VJ
=25
°
C
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
=150
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR40N60BD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXGR40N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR40N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR40N60CD1 HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR50N60B HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
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參數(shù)描述
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IXGR35N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 23 Amps 1200V 3.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IXGR35N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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