參數(shù)資料
型號(hào)： IXGR32N60CD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
中文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 127K
代理商： IXGR32N60CD1
3 - 5
2000 IXYS All rights reserved
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
-Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
10000
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V
GE
- Volts
3
4
5
6
7
8
9
10
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
40
80
120
160
200
13V
11V
9V
7V
V
CE
= 10V
V
GE
= 15V
13V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 16A
I
C
= 32A
I
C
= 64A
T
J
=
125
°
C
f = 1Mhz
5V
5V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
7V
9V
5V
7V
9V
V
GE
= 15V
13V
C
iss
C
oss
C
rss
11V
11V
Fig. 1. Output Characteristics
Fig. 2. Extended Output Characteristics
Fig. 3. High Temperature Output Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Fig. 5. Admittance Curves
Fig. 6. Capacitance Curves
IXGR 32N60CD1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR40N60BD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXGR40N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR40N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR40N60CD1 HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR50N60B HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR32N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 47 Amps 900V 2.9 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR35N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 23 Amps 1200V 3.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR35N120C 功能描述:IGBT 70A 1200V ISOPLUS247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:HiPerFAST™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGR35N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*