參數(shù)資料
型號(hào)： IXGP10N50A
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展|甲一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 681K
代理商： IXGP10N50A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGP10N80A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 220A I(C) | TO-220AB
IXGP10N90A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB
IXGH22N50C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 44A I(C) | TO-247AD
IXGH24N50BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD
IXGH24N50BU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGP10N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGP10N60A 功能描述:IGBT 晶體管 20Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP10N80 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB
IXGP10N80A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 220A I(C) | TO-220AB
IXGP10N90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB
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