參數(shù)資料
型號： IXGH24N50BU1
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五（巴西）國際消費電子展| 48A條一（c）|采用TO - 247AD
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 119K
代理商： IXGH24N50BU1
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PDF描述
IXGH24N50BU1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD
IXGH24N60BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD
IXGH24N60BU1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD
IXGH28N30AS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 56A I(C) | TO-247SMD
IXGH28N30BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 56A I(C) | TO-247SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH24N50BU1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD
IXGH24N60A 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH24N60AU1 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH24N60AU1S 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH24N60B 功能描述:IGBT 晶體管 HIPERFAST IGBT 600V, 48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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