參數(shù)資料
型號(hào)： IXGN50N60BD2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶快速恢復(fù)外延型二極管))
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 147K
代理商： IXGN50N60BD2
1 - 5
2000 IXYS All rights reserved
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
t
fi
= 600 V
= 75 A
= 2.5 V
= 150 ns
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 250 A, V
GE
= 0 V
= 250 A, V
CE
= V
GE
600
2.5
V
V
5
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
200
A
1
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
2.5
V
Features
International standard package
miniBLOC
Aluminium nitride isolation
- high power dissipation
Isolation voltage 3000 V~
Very high current, fast switching
IGBT & FRED diode
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Low collector-to-case capacitance
Low package inductance (< 10 nH)
- easy to drive and to protect
Molding epoxies meet UL
94
V-0
flammability classification
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Buck converters
Advantages
Easy to mount with 2 screws
Space savings
High power density
98502C (8/99)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GE
= 1 M
600
600
V
V
V
GES
V
GEM
Continuous
Transient
20
30
V
V
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
Clamped inductive load, L = 30 H
P
C
T
C
= 25 C
V
RRM
I
FAVM
T
C
= 70 C; rectangular, d = 50%
I
FRM
t
P
z<10 ms; pulse width limited by T
J
P
D
T
C
= 25 C
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
Weight
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
T
C
= 25 C
T
C
= 90 C
T
C
= 25 C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125 C, R
= 10
75
50
200
A
A
A
A
I
= 100
@ 0.8 V
CES
250
600
W
V
A
60
600
A
W
150
-40 ... +150
C
C
C
150
-40 ... +150
1.5/13
1.5/13
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
30
300
g
C
I
D
C
IXGN 50N60BD2
IXGN 50N60BD3
HiPerFAST
TM
IGBT
with HiPerFRED
Buck & boost configurations
SOT-227B, miniBLOC
E 153432
2
1
4
3
...BD2 ...BD3
IXGN50N60BD2
1 = Emitter; 2 = Gate
3 = Collector; 4 = Diode cathode
IXGN50N60BD3
1 = Emitter/Diode Cathode; 2 = Gate
3 = Collector; 4 = Diode anode
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGN50N60B HiPerFASTTM IGBT
IXGN60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGN80N30BD1 IGBT with Diode(VCES為300V，VCE(sat)為2.4V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGP30N60C2 HiPerFAST IGBT C2- Class High Speed IGBTs
IXGR12N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGN50N60BD3 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60 功能描述:IGBT 晶體管 ULTRA LOW VCE 600V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN72N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 72 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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