參數(shù)資料
型號： IXGP30N60C2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT C2- Class High Speed IGBTs
中文描述： 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 561K
代理商： IXGP30N60C2
2005 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
GE(th)
I
C
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
2.5
5.0
V
I
CES
V
CE
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
50
μ
A
mA
1
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= 24 A, V
GE
= 15 V
T
J
= 25
°
C
2.7
V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
600
V
600
V
V
GES
V
GEM
Continuous
±
20
±
30
V
Transient
V
I
C25
I
C110
I
CM
T
C
= 25
°
C (limited by leads)
T
C
= 110
°
C
T
C
= 25
°
C, 1 ms
V
GE
= 15 V, T
VJ
= 125
°
C, R
G
= 10
Clamped inductive load @
≤
600 V
T
C
= 25
°
C
70
A
30
A
150
A
SSOA
(RBSOA)
P
C
I
CM
= 60
A
190
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
M
d
Mounting torque
1.13/10Nm/lb.in.
Weight
4
g
DS99170A(01/05)
G = Gate,
E = Emitter,
C = Collector,
TAB = Collector
Features
z
Very high frequency IGBT
z
Square RBSOA
z
High current handling capability
z
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
z
PFC circuits
z
Uninterruptible power supplies (UPS)
z
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
z
AC motor speed control
z
DC servo and robot drives
z
DC choppers
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
t
fi
typ
= 600 V
= 70 A
= 2.7 V
= 32 ns
HiPerFAST
TM
IGBT
C2- Class High Speed IGBTs
IXGP 30N60C2
TO-220 (I
XGP
)
GCE
C
(TAB)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR12N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR24N60C Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:24; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle
IXGR32N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGR40N60BD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXGR40N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
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參數(shù)描述
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IXGP30N60C3C1 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP30N60C3D4 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP36N60A3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT
IXGP36N60A3_09 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
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