參數(shù)資料
型號(hào): IXGN50N60B
廠商: IXYS CORP
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: HiPerFASTTM IGBT
中文描述: 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù): 4/4頁(yè)
文件大小: 118K
代理商: IXGN50N60B
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0
2
4
6
8
10
12
E
(
0
1
2
3
4
5
6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
20
40
60
80
100
120
V
G
0
4
8
12
16
I
C
- Amperes
0
20
40
60
80
100
E
(
0
2
4
6
8
10
12
E
(
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
= 250V
I
C
=25A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(ON)
E
(OFF)
T
J
= 125°C
R
G
= 6.2
dV/dt < 5V/ns
Single pulse
T
J
= 125°C
600
E
(OFF)
R
G
= 4.7
I
C
=25A
T
J
= 125°C
E
(ON)
I
C
= 100A
I
C
= 50A
E
(ON)
E
(OFF)
IXGN 50N60B
Figure 9. Gate Char-
ge
Figure 10. Turn-off Safe Operating Area
Figure 11. IGBT Transient Thermal Resistance
Figure 8. Dependence of E
ON
and E
OFF
on R
G
.
Figure 7. Dependence of E
ON
and E
OFF
on I
C
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGN60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGN80N30BD1 IGBT with Diode(VCES為300V,VCE(sat)為2.4V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管))
IXGP30N60C2 HiPerFAST IGBT C2- Class High Speed IGBTs
IXGR12N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V,VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR24N60C Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:24; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle
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參數(shù)描述
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IXGN50N60BD3 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60 功能描述:IGBT 晶體管 ULTRA LOW VCE 600V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube