- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361011 > IXGM40N50A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | TO-3 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXGM40N50A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | TO-3 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五（巴西）國際消費(fèi)電子展|至3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 157K |
| 代理商： | IXGM40N50A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH50N50B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247AD |
| IXGH50N50BS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH50N60BS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH60N50 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247 |
| IXGH60N50A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGM40N60 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
| IXGM40N60A | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGN100N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 G-series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGN100N160A | 功能描述:IGBT 晶體管 100 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGN100N170 | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 95A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。