參數(shù)資料
型號： IXGH60N50
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五（巴西）國際消費電子展| 75A條一（c）|至247
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代理商： IXGH60N50
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PDF描述
IXGH60N50A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH60N60A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH9090 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD
IXGK50N60BD1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA
IXGX50N60BD1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH60N50A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH60N60 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT N-CHAN 600V 75A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH60N60A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH60N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH60N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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