參數(shù)資料
型號： IXGK60N60C2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFASTTM IGBT with Diode
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 627K
代理商： IXGK60N60C2D1
2003 IXYS All rights reserved
IXGK60N60C2D1
IXGX60N60C2D1
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
1
15
2
2.5
V
CE
- Volts
3
3.5
4
4.5
I
C
V
G E
= 15V
13V
11V
9V
5V
7V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.5
1
15
2
2.5
3
3.5
V
CE
- Volts
I
C
V
G E
= 15V
13V
11V
5V
7V
9V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.5
1
15
2
2.5
3
3.5
V
CE
- Volts
I
C
V
G E
= 15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 6. Input Admittance
0
25
50
75
100
125
150
175
200
3.5
4
4.5
5
5.5
V
GE
- Volts
6
6.5
7
7.5
8
8.5
I
C
T
J
= 125
o
C
25
o
C
-40
o
C
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
11
12
25
50
75
100
125
150
T
J
- Degrees Centigrade
V
C
I
C
= 100A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
V
G E
= 15V
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter voltage
1
15
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
V
GE
- Volts
V
C
T
J
= 25
o
C
I
C
= 100A
50A
25A
相關PDF資料
PDF描述
IXGX60N60C2D1 Fast SRAM > Late Write Synchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 36; Memory capacity (bit): 16M; Supply voltage (V): 150; Operating temperature (°C): 1.5; Package: BGA (119)
IXGK80N60A HiPerFAST IGBT
IXGM30N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGM30N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGN200N60B HiPerFASTTM IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXGK64N60B3D1 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGK72N60A3H1 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK72N60B3H1 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGK72N60C3H1 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK75N250 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*