參數(shù)資料
型號(hào)： IXGK60N60B2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 630K
代理商： IXGK60N60B2D1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g
fs
I
Note 1
= 50 A; V
CE
= 10 V,
40
58
S
C
ies
C
oes
C
res
3900
340
100
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
ge
Q
gc
170
25
57
nC
nC
nC
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
28
30
ns
ns
ns
ns
mJ
160
100
1.0
270
170
2.5
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
28
36
1.5
310
240
2.8
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
R
thJC
R
thCK
0.25 K/W
0.15
K/W
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V, R
G
= R
off
= 3.3
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V, R
G
= R
off
= 2.0
PLUS247 Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
5.45 BSC
19.81
3.81
5.59
4.32
Inches
Min.
.190
.090
.075
.045
.075
.115
.024
.819
.620
.215 BSC
.780
.150
.220 0.244
.170
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
Max.
.205
.100
.085
.055
.084
.123
.031
.840
.635
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
20.32
4.32
6.20
4.83
.800
.170
.190
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
IXGK60N60B2D1
IXGX60N60B2D1
TO-264 AA Outline
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= 60 A, V
GE
= 0 V,
Note 1
2.1
1.4
V
V
T
J
= 150
°
C
I
RM
I
F
= 60 A, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/
μ
T
J
= 100
°
C
V
= 100 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ms; V
R
= 30 V
8.3
A
t
rr
35
ns
R
thJC
0.85 K/W
Note 1: Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGX60N60B2D1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK60N60C2D1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGX60N60C2D1 Fast SRAM > Late Write Synchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 36; Memory capacity (bit): 16M; Supply voltage (V): 150; Operating temperature (°C): 1.5; Package: BGA (119)
IXGK80N60A HiPerFAST IGBT
IXGM30N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGK60N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK64N60B3D1 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGK72N60A3H1 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK72N60B3H1 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGK72N60C3H1 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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