參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH50N50B
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247AD
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 75A條一（c）|采用TO - 247AD
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
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代理商： IXGH50N50B
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PDF描述
IXGH50N50BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD
IXGH50N60BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD
IXGH60N50 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH60N50A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH60N60A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH50N50BS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD
IXGH50N60A 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH50N60AS 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT - Surface Mountable
IXGH50N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH50N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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