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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXGH24N60CD1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Lightspeed Series HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| 中文描述： | 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | IXGH24N60CD1 |
4 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXGH 24N60CD1
IXGT 24N60CD1
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
20
40
60
80
V
G
0
4
8
12
16
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
50
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
E
(
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
V
CE
= 300V
I
C
= 24A
I
C
= 12A
E
(ON)
E
(OFF)
T
J
= -55 to +125
°
C
R
G
= 4.7
W
dV/dt < 5V/ns
D=0.5
D=0.02
D=0.01
Single pulse
D = Duty Cycle
R
G
= 10
W
T
J
= 125
°
C
40
E
(ON)
I
C
=48A
E
(OFF)
T
J
= 125
°
C
E
(ON)
I
C
= 24A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(OFF)
Fig. 11 IGBT Transient Thermal Resistance
Fig.10. Turn-off Safe Operating Area
Fig.9. Gate Charge
Fig.7. Dependence of E
OFF
and E
OFF
on I
C
Fig.8. Dependence of E
OFF
on R
G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGT24N60CD1 | HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series |
| IXGH24N60C | Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管) |
| IXGH25N100AU1 | High speed IGBT with Diode |
| IXGH25N100U1 | High speed IGBT with Diode |
| IXGH25N120 | Low VCE(sat) High speed IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGH25N100 | 功能描述:IGBT 50A 1000V TO-247AD RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXGH25N100A | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 1000V 50A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH25N100AU1 | 功能描述:IGBT 50A 1000V TO-247AD RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXGH25N100U1 | 功能描述:IGBT 50A 1000V TO-247AD RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXGH25N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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