參數(shù)資料
型號(hào)： IXGA20N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT
中文描述： 40 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AA
封裝： TO-263AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： IXGA20N100
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
TO-263 AA Outline
1. Gate
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
Bottom Side
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
Pins:
1 - Gate
3 - Emitter
2 - Collector
4 - Collector
Bottom Side
TO-220 AB Dimensions
Symbol
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ.
Max.
g
fs
I
C
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
12
16
S
C
ies
C
oes
1750
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
100
pF
C
res
38
pF
I
C(ON)
V
GE
= 10V, V
CE
= 10V
90
A
Q
g
Q
ge
Q
gc
73
13
26
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
30
30
ns
ns
ns
ns
mJ
350
280
3.5
700
700
8.0
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
30
30
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.65
700
520
6.5
R
thJC
R
thCK
0.83
K/W
K/W
TO-220
0.5
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 800 V, R
G
= R
off
= 47
Remarks: Switching
times
may
increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 800 V, R
G
= R
off
= 47
Remarks: Switching times may
increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
IXGA 20N100
IXGP 20N100
Min. Recommended Footprint
(Dimensions in inches and mm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGP20N100 IGBT
IXGA20N120 IGBT
IXGP20N120 IGBT
IXGA20N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.7V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGA4N100 ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA20N120 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA20N120A3 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA20N120B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA20N120B3 功能描述:IGBT 模塊 GenX3 1200V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGA20N60B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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