參數(shù)資料
型號(hào)： IXGA12N100AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT - Combi Pack
中文描述： 20 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： IXGA12N100AU1
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ.
Max.
g
fs
I
C
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
6
10
S
Q
g
Q
ge
Q
gc
65
90
20
45
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
8
24
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
100
200
850
500
800
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
1000
700
1000
12N100A
12N100
12N100A
E
off
4
6
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
100
200
1.1
900
950
1250
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
12N100A
12N100
12N100A
12N100
E
off
8
10
R
thJC
R
thCK
1.25
K/W
K/W
0.25
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 300 H
V
CE
= 800 V, R
G
= R
off
= 120
Remarks: Switching times may
increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 300 H
V
CE
= 800 V, R
G
= R
off
= 120
Remarks: Switching times may
increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Reverse Diode (FRED)
(T
= 25 C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Min.
Typ.
Max.
V
F
I
F
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
=8A, V
GE
= 0 V,
2.75
V
I
RM
t
rr
I
F
V
R
= 100 V, T
J
= 125 C
I
F
= 1 A, -di/dt = 50 A/ s, V
R
= 30 V T
J
= 25 C
= I
C90
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/ s
6.5
140
50
A
ns
ns
60
R
thJC
2.5
K/W
TO-263 AA (IXGA) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
TO-220 AB (IXGP) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
12.70
14.73
9.91
3.54
5.85
2.54
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
1.14
0.35
2.29
Inches
Min.
0.500
0.580
0.390
0.139
0.230
0.100
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.045
0.014
0.090
Max.
13.97
16.00
10.66
4.08
6.85
3.18
1.65
5.84
1.01
BSC
4.82
1.39
0.56
2.79
Max.
0.550
0.630
0.420
0.161
0.270
0.125
0.065
0.230
0.040
BSC
0.190
0.055
0.022
0.110
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
IXGA12N100U1
IXGA12N100AU1
IXGP12N100U1
IXGP12N100AU1
Min. Recommended Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA12N100U1 IGBT - Combi Pack
IXGP12N100U1 IGBT - Combi Pack
IXGP12N100AU1 IGBT - Combi Pack
IXGA12N100 IGBT
IXGA12N100A IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA12N100U1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT - Combi Pack
IXGA12N120A2 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 1200V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA12N120A3 功能描述:IGBT 晶體管 1200V, 12A IGBT; G Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA12N60B 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA12N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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