參數(shù)資料
型號： IXFX55N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerRF Power MOSFETs
中文描述： 55 A, 500 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： IXFX55N50
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFN 55N50F
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
22
33
S
C
iss
C
oss
C
rss
6700
1250
330
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
24
20
45
9.6
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
195
50
95
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.21
K/W
K/W
0.05
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
55
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
220
A
V
SD
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= 50A, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
250
ns
μ
C
1.6
13
A
miniBLOC, SOT-227 B
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
B
31.50
7.80
31.88
8.20
1.240
0.307
1.255
0.323
C
D
4.09
4.09
4.29
4.29
0.161
0.161
0.169
0.169
E
F
4.09
14.91
4.29
15.11
0.161
0.587
0.169
0.595
G
H
30.12
38.00
30.30
38.23
1.186
1.496
1.193
1.505
J
K
11.68
8.92
12.22
9.60
0.460
0.351
0.481
0.378
L
M
0.76
12.60
0.84
12.85
0.030
0.496
0.033
0.506
N
O
25.15
1.98
25.42
2.13
0.990
0.078
1.001
0.084
P
Q
4.95
26.54
5.97
26.90
0.195
1.045
0.235
1.059
R
S
3.94
4.72
4.42
4.85
0.155
0.186
0.174
0.191
T
U
24.59
-0.05
25.07
0.1
0.968
-0.002
0.987
0.004
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFX90N20Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻22mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXGA10N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGA10N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGA12N100AU1 IGBT - Combi Pack
IXGA12N100U1 IGBT - Combi Pack
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFX55N50F 功能描述:MOSFET 500V 55A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX60N55Q2 功能描述:MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX62N25 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX64N50P 功能描述:MOSFET 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX64N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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