參數(shù)資料
型號(hào)： IXFX50N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 50 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： IXFX50N50
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
45
S
C
iss
C
oss
C
rss
9400
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1280
pF
460
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
45
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
(External),
60
ns
120
ns
45
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
330
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
55
nC
155
nC
R
thJC
R
thCK
0.22
K/W
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
55N50
50N50
55
50
A
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
55N50
50N50
220
200
A
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V
Note 1
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
1.0
μ
C
I
RM
10
A
I
F
=25 A,-di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
4.83
2.29
1.91
5.21
2.54
2.16
.190
.090
.075
.205
.100
.085
1.14
1.91
2.92
1.40
2.13
3.12
.045
.075
.115
.055
.084
.123
0.61
20.80
15.75
0.80
21.34
16.13
.024
.819
.620
.031
.840
.635
e
L
L1
5.45 BSC
19.81
3.81
.215 BSC
.780
.150
20.32
4.32
.800
.170
Q
R
5.59
4.32
6.20
4.83
.220 0.244
.170
.190
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
PLUS 247
TM
Outline
Note: 1.Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
IXFX 50N50
IXFX 55N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFX52N60Q2 Advanced Technical Information
IXFX55N50 HiPerRF Power MOSFETs
IXFX90N20Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻22mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXGA10N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGA10N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFX520N075T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX52N60Q2 功能描述:MOSFET 52 Amps 600V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX55N50 功能描述:MOSFET 500V 55A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX55N50F 功能描述:MOSFET 500V 55A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX60N55Q2 功能描述:MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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