參數(shù)資料
型號： IXFV18N60PS
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHV HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLUS220SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 179K
代理商： IXFV18N60PS
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFH 18N60P
IXFV 18N60P IXFV 18N60PS
Fig. 7. Input Admittance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
V
GS
- Volts
I
D
T
J
= 125oC
25oC
- 40oC
Fig. 8. Transconductance
0
4
8
12
16
20
24
0
5
10
15
I
D
- Amperes
20
25
30
35
40
g
f
T
J
= - 40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
0
10
20
30
40
50
60
70
0.3
0.4
0.5
0.6
V
SD
- Volts
0.7
0.8
0.9
1
1.1
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
Q
G
- NanoCoulombs
20
25
30
35
40
45
50
V
G
V
DS
= 300V
I
D
= 9A
I
G
= 10mA
Fig. 11. Capacitance
10
100
1,000
10,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
DS
- Volts
C
f
= 1 MHz
Ciss
Crss
Coss
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
1
10
100
10
100
1000
V
DS
- Volts
I
D
T
J
= 150oC
T
C
= 25oC
25μs
1ms
100μs
R
DS(on)
Limits
10ms
DC
相關PDF資料
PDF描述
IXFV18N60P PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV74N20P PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFV74N20PS PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFX100N25 HiPerFET Power MOSFETs
IXFX120N20 CAP 0.01UF 50V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXFV18N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IXFV20N80P 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IXFV22N50P 功能描述:MOSFET 500V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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