參數(shù)資料
型號： IXFV18N60P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHV HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLUS220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 179K
代理商： IXFV18N60P
2006 IXYS All rights reserved
IXFH 18N60P
IXFV 18N60P IXFV 18N60PS
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
1
2
3
V
DS
- Volts
4
5
6
7
8
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
6V
5V
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
3
6
9
12
V
DS
- Volts
15
18
21
24
27
30
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5V
6V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
DS
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
5V
Fig. 4. R
DS(on)
Normalized to I
D
= 9A Value vs.
Junction Temperature
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
V
GS
= 10V
I
D
= 18A
I
D
= 9A
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to I
D
= 9A Value vs.
Drain Current
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
3.2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
I
D
- Amperes
R
D
V
GS
= 10V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFV74N20P PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFV74N20PS PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFX100N25 HiPerFET Power MOSFETs
IXFX120N20 CAP 0.01UF 50V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IXFK120N20 HiPerFET Power MOSFETs
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參數(shù)描述
IXFV18N60PS 功能描述:MOSFET 600V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFV18N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFV18N90PS 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFV20N80P 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFV20N80PS 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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