參數(shù)資料
型號： IXFV18N60P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHV HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLUS220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 179K
代理商： IXFV18N60P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
IXFH 18N60P
IXFV 18N60P IXFV 18N60PS
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 0.5 I
D25
, Note 1
9
16
S
C
iss
C
oss
C
rss
2500
280
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
23
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
21
22
62
22
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 5
Ω
(External)
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
50
15
18
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCS
0.35
°
C/W
°
C/W
(TO-247, PLUS220)
0.21
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Symbol
Test Conditions
Typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0 V
18
A
I
SM
Repetitive
54
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Note 1
1.5
V
t
rr
Q
RM
F
RM
I
S
= 18 A, -di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 100 V, V
GS
= 0 V
200
ns
μ
C
A
0.8
5
Note 1: Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycled
≤
2 %
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
PLUS220SMD (IXFV_S) Outline
PLUS220 (IXFV) Outline
TO-247 (IXFH) Outline
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
Tab - Drain
3 - Source
1 2 3
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFV74N20P PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFV74N20PS PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFX100N25 HiPerFET Power MOSFETs
IXFX120N20 CAP 0.01UF 50V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IXFK120N20 HiPerFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFV18N60PS 功能描述:MOSFET 600V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFV18N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFV18N90PS 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFV20N80P 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFV20N80PS 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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