型號(hào): | IXFT80N20Q |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
中文描述: | 80 A, 200 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268 |
封裝: | TO-268, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 70K |
代理商: | IXFT80N20Q |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFH90N20Q | HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS |
IXFK90N20Q | HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS |
IXFK90N20QS | HiPerFET Power MOSFETs |
IXFH9N80Q | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
IXFT9N80Q | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFT80N30P3 | 功能描述:MOSFET HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT86N30T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT88N28P | 功能描述:MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT88N30P | 功能描述:MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 300V 88A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT94N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |