參數(shù)資料
型號： IXFT32N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 32 A, 500 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： IXFT32N50
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Pulse Width - Seconds
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.00
0.40
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Crss
Coss
Ciss
V
SD
- Volts
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
0
20
40
60
80
100
T
J
=125
O
C
T
J
=25
O
C
Gate Charge - nC
0
50
100
150
200
250
300
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
I
G
=10mA
F = 1MHz
V
GS
= 0V
Vds=300V
I
D
=30A
30
V
DS
- Volts
10
100
I
D
0.1
1
10
T
C
= 25
O
C
10 ms
1 ms
100 ms
DC
500
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
Figure 10. Transient Thermal Resistance
IXFH 30N50
IXFT 30N50
IXFH 32N50
IXFT 32N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH30N50 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.16Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH32N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFT40N30Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH40N30Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻80mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFT4N100 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
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參數(shù)描述
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IXFT340N075T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT36N50P 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT36N60P 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT400N075T2 功能描述:MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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