參數(shù)資料
型號(hào)： IXFT30N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 30 A, 500 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 110K
代理商： IXFT30N50
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
8
16
24
32
40
V
GS
- Volts
0
2
4
6
8
I
D
0
10
20
30
40
50
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
I
D
= 16A
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
5V
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 10V
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
o
C
6V
5V
6V
IXFH30N50
IXFH32N50
V
GS
=10V
9V
8V
7V
V
GS
=10V
9V
8V
7V
I
D
= 32A
T
J
= 25
o
C
I
D
- Amperes
0
10
20
30
40
50
60
R
D
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
Tj=125
0
C
Tj=25
0
C
V
GS
= 10V
Figure 3. R
DS(on)
normalized to 15A/25
O
C vs. I
D
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 6. Admittance Curves
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Output Characteristics at 125
O
C
Figure 4. R
DS(on)
normalized to 15A/25
O
C vs. T
J
IXFH 30N50
IXFT 30N50
IXFH 32N50
IXFT 32N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT32N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH30N50 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.16Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH32N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFT40N30Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH40N30Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻80mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFT30N50P 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT30N50Q 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT30N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT30N60P 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT30N60Q 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V 0.23W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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