參數(shù)資料
型號(hào)： IXFT24N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 24 A, 500 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： D3PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 158K
代理商： IXFT24N50
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.9
Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source to Drain Voltage
Fig.11 Transient Thermal Impedance
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
0.1
1
10
100
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100 125 150 175 200
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- Volt
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
D=0.2
D=0.02
D=0.01
D=0.5
D=0.1
D=0.05
Single pulse
C
rss
C
oss
V
DS
= 250V
I
D
= 12.5A
I
G
= 10mA
500
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
Limited by R
DS(on)
C
iss
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
f = 1 Mhz
V
DS
= 25V
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT26N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH26N50 1-Form-A solid state relay, bridge rectifier, Darlington transistor and optocoupler and zener diods- half wave
IXFM26N50 Dual Pole Normally Open: 2-Form-A
IXFM21N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM21N60 HIPERFET Power MOSFTETs
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參數(shù)描述
IXFT24N50Q 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT24N80P 功能描述:MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT24N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT26N50 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT26N50Q 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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