參數資料
型號： IXFT140N10P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 140 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數： 2/5頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： IXFT140N10P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1
6,534,343
6,306,728B1
6,583,505
6,683,344
Symbol
Test Conditions Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
45
65
S
C
iss
C
oss
C
rss
4700
1850
600
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
35
50
85
26
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 4
Ω
(External)
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
155
33
85
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.25 K/W
(TO-247)
0.21
K/W
Source-Drain Diode Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min.
typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0 V
140
A
I
SM
Repetitive
300
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
I
= 25 A
-di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 50 V
120
ns
Q
RM
I
RM
0.8
μ
C
6
A
IXFH 140N10P
IXFT 140N10P
TO-268 Outline
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
Tab - Drain
3 - Source
1 2 3
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PDF描述
IXFH140N10P PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
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