- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361009 > IXFT12N100Q TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-268 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXFT12N100Q |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-268 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 1KV交五（巴西）直| 12A條（丁）|至268 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 249K |
| 代理商： | IXFT12N100Q |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IXFH12N100Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247AD |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXFT12N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFT12N90Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFT13N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFT13N80Q | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFT13N90 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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