型號: | IXFT10N100 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family |
中文描述: | 10 A, 1000 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA |
封裝: | TO-268, 3 PIN |
文件頁數: | 3/4頁 |
文件大?。?/td> | 556K |
代理商: | IXFT10N100 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFT12N100 | N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family |
IXFT140N10P | PolarHV HiPerFET Power MOSFETs |
IXFH140N10P | PolarHV HiPerFET Power MOSFETs |
IXFT15N80Q | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
IXFH15N80Q | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導通電阻0.60Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IXFT10N100Q | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class |
IXFT120N15P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT12N100 | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT12N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT12N100Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |