參數資料
型號: IXFT10N100
廠商: IXYS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
中文描述: 10 A, 1000 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝: TO-268, 3 PIN
文件頁數: 3/4頁
文件大?。?/td> 556K
代理商: IXFT10N100
2004 IXYS All rights reserved
Fig. 1. Output Characteristics
Fig. 2. Input Admittance
Fig. 5. Drain vs. Case Temperature
Fig. 6. Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig. 3. R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4. Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
BV
DSS
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
10N100
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
5
10
15
20
25
R
D
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
V
GS
= 10V
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
6V
7V
V
GS
= 10V
12N100
I
D
= 6A
V
GS
= 15V
5V
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
IXFT 10N100 IXFT 12N100
相關PDF資料
PDF描述
IXFT12N100 N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
IXFT140N10P PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFH140N10P PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFT15N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH15N80Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導通電阻0.60Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
IXFT10N100Q 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class
IXFT120N15P 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT12N100 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT12N100F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT12N100Q 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube