參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN75N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
中文描述： 75 A, 500 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 126K
代理商： IXFN75N50
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
0
20
40
60
80
100
Pulse Width - Seconds
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.001
0.010
0.100
1.000
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
100
1000
10000
Gate Charge - nC
0
50
100 150 200 250 300 350 400
V
G
0
2
4
6
8
10
Crss
Coss
V
DS
= 250 V
I
D
= 40 A
I
G
= 10 mA
f = 100kHz
T
J
= 25
O
C
Ciss
30000
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 0V
Single Pulse
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
Figure 10. Transient Thermal Resistance
IXFN 75N50
IXFN 80N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN80N50 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N48 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓480V,導(dǎo)通電阻45mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN90N30 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻33mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFP3N80 HiPerFET Power MOSFETs
IXFP4N100Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXFN80N50 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN80N50P 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN80N50Q2 功能描述:MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN80N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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