參數資料
型號: IXFN48N50U3
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: HiPerFET Power MOSFETs
中文描述: 48 A, 500 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: MINIBLOC-4
文件頁數: 5/5頁
文件大小: 151K
代理商: IXFN48N50U3
5 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXFN44N50U2 IXFN48N50U2
IXFN44N50U3 IXFN48N50U3
Fig. 11. Forward voltage drop.
Fig. 12. Recovery charge versus -di
F
/dt.
Fig. 13. Peak reverse current vs. -di
F
/dt.
Fig. 14. Dynamic parameters versus
junction temperature.
Fig. 15. Recovery time versus -di
F
/dt.
Fig. 16. Peak forward voltage and forward
recovery time vs. di
F
/dt.
Fig. 17. Transient thermal impedance junction to case.
相關PDF資料
PDF描述
IXFN44N60 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN44N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN44N80P PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFN48N55 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓550V,導通電阻110mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN58N50 High Current Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
IXFN48N55 功能描述:MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:HiPerFET™ 標準包裝:10 系列:*
IXFN48N60P 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN50N25 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFN50N50 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN50N80Q2 功能描述:MOSFET 50 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube