參數(shù)資料
型號： IXFN48N50U3
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 48 A, 500 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 151K
代理商： IXFN48N50U3
2 - 5
2000 IXYS All rights reserved
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
DSS
V
GS(th)
V
GS
= 0 V, I
D
= 1 mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8 mA
500
V
V
2
4
I
GSS
V
GS
= 20 V
DC
, V
DS
= 0
200
nA
I
DSS
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
400
A
2
mA
R
DS(on)
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
44N50
48N50
0.12
0.10
Pulse test, t 300 s, duty cycle
2 %
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
22
42
S
C
iss
C
oss
C
rss
8400
900
280
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
30
60
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External)
100
30
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
270
60
135
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.24
0.05
K/W
K/W
Ultra-fast Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
R
V
R
= 0.8V
RRM
T
J
= 125 C; V
R
= 0.8V
RRM
T
J
= 25 C; V
R
= V
RRM
200
A
100
14 mA
A
V
F
I
F
= 70A, V
GS
= 0 V, T
J
= 150 C
Pulse test, t 300 s, duty cycle
1.5
1.8
V
V
2 % T
J
= 25 C
t
rr
I
RM
I
F
= 60A, di/dt = -480 A/ s, V
R
= 350 V, T
J
= 100 C
I
I
= 1A, di/dt = -200 A/ s, V
R
= 30 V, T
J
= 25 C
35
19 21
50
ns
A
R
thJC
R
thJK
0.7 K/W
0.05
K/W
IXFN44N50U2
IXFN44N50U3
IXFN48N50U2
IXFN48N50U3
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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PDF描述
IXFN44N60 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN44N50 HiPerFET Power MOSFETs
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IXFN48N60P 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN50N25 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFN50N50 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN50N80Q2 功能描述:MOSFET 50 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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