參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN44N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 44 A, 500 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 128K
代理商： IXFN44N50
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFN 44N60
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
30
45
S
C
iss
C
oss
C
rss
8900
1000
330
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
42
55
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External),
110
45
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
330
60
65
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.21
K/W
K/W
0.05
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
44
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
176
A
V
SD
1.3
V
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= 50A, -di/dt = 100 A/ s, V
R
= 100 V
250
ns
C
A
1.4
8
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN44N80P PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFN48N55 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓550V,導(dǎo)通電阻110mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN58N50 High Current Power MOSFET
IXFN60N60 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓600V,導(dǎo)通電阻75mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN72N55Q2 HiPerFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN44N50Q 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN44N50Q_03 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN44N50U2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:HiPerFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
IXFN44N50U3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:HiPerFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
IXFN44N60 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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