參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN43N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 43 A, 600 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： IXFN43N60
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
TBD
S
C
iss
C
oss
C
rss
TBD
TBD
TBD
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
TBD
TBD
TBD
TBD
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
TBD
TBD
TBD
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
TO-264 AA
TO-264 AA
0.22
K/W
K/W
0.15
R
thJC
R
thCK
miniBLOC, SOT-227 B
miniBLOC, SOT-227 B
0.21
K/W
K/W
0.05
Source-Drain Diode
(T
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Min.
Typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0
43N60
40N60
43
40
A
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
43N60
40N60
172
160
A
A
V
SD
I
= 100 A, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
TBD
TBD
TBD
ns
μ
C
A
I
F
= 50 A, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
Notes: 1.
2.
R
= 1 M
Pulse width limited by T
JM.
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
TO-264 AA Outline
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
IXFK43N60
IXFK40N60
IXFN43N60
IXFN40N60
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN44N50Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN48N50Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN44N50U2 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN44N50U3 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN48N50U2 HiPerFET Power MOSFET （Buck & Boost Configurations for PFC & Motor Control Circuits）(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻0.10Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET（步升&步降配置，用于PFC和電機(jī)控制電路）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN44N100P 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN44N100Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN44N50 功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN44N50Q 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN44N50Q_03 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
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