型號(hào): | IXFN27N80 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | HiPerFETTM Power MOSFETs |
中文描述: | 27 A, 800 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | MINIBLOC-4 |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大?。?/td> | 162K |
代理商: | IXFN27N80 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFK25N80 | CAP,Polypropylene,60uF,10-% Tol,10+% Tol |
IXFN25N90 | HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
IXFN26N90 | HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
IXFN27N80Q | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
IXFN280N07 | Standoff; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFN27N80Q | 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFN280N07 | 功能描述:MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFN280N07_08 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
IXFN280N085 | 功能描述:MOSFET 280 Amps 85V 0.0044 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFN300N10P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |