參數(shù)資料
型號： IXFN25N90
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
中文描述： 25 A, 900 V, 0.33 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： IXFN25N90
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXFK 25N80
IXFN 25N80
IXFK 27N80
IXFN 27N80
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
100
1000
10000
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
20
40
60
80
100
Gate Charge - nC
0
100
200
300
400
500
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Vds= 400V
= 27A
=10mA
I
G
= 1mA
Coss
T
J
= 25
O
C
V
DS
I
D
f = 1MHz
T
J
= 125
O
C
Ciss
Crss
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
Figure 10. Transient Thermal Resistance
Pulse Width - Seconds
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
R
J
0.001
0.01
0.1
1
Single pulse
D = Duty Cycle
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
D=0.2
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PDF描述
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IXFN26N120P 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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