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參數(shù)資料
| 型號： | IXFN16N100 |
| 廠商： | IXYS Corporation |
| 元件分類： | 保險絲 |
| 英文描述： | PTC-fuses; for electronic devices; Voltage Rating: 30V; Current Rating: 1.35A; Characteristic: |
| 中文描述： | HIPERFET電力MOSFTETs |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 295K |
| 代理商： | IXFN16N100 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN17N80 | PTC-fuses; for electronic devices; Voltage Rating: 30V; Current Rating: 1A; Characteristic: |
| IXFM18N65 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFM19N50 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFZ67N10 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH17N60 | HIPERFET Power MOSFTETs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXFN170N10 | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFN170N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
| IXFN170N30P | 功能描述:MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFN17N80 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN180N06 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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