- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄383189 > IXFM19N50 (IXYS Corporation) HIPERFET Power MOSFTETs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IXFM19N50 |
| 廠商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | HIPERFET Power MOSFTETs |
| 中文描述： | HIPERFET電力MOSFTETs |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 295K |
| 代理商： | IXFM19N50 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFZ67N10 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH17N60 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH18N50 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH9N100 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH11N100 | 130 OHM 5% 200PPM TKF 0805 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXFM20N60 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFM21N50 | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFM21N60 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFM24N50 | 功能描述:MOSFET 500V 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFM26N50 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。